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DD800S17H4B2BOSA2

DD800S17H4B2BOSA2

참조 용

부품 번호 DD800S17H4B2BOSA2
PNEDA 부품 번호 DD800S17H4B2BOSA2
설명 DIODE MODUL GP 1700V AGIHMB130-1
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DD800S17H4B2BOSA2 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DD800S17H4B2BOSA2
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
DD800S17H4B2BOSA2, DD800S17H4B2BOSA2 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 591.24 KB)
PDFDD800S17H4B2BOSA2 데이터 시트 표지
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DD800S17H4B2BOSA2 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
다이오드 구성2 Independent
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1700V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If2.1V @ 800A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr900A @ 900V
작동 온도-접합-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지AG-IHMB130-1

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 40mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 30V

작동 온도-접합

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장착 유형

Surface Mount

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다이오드 구성

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

800mV @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

800µA @ 60V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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GeneSiC Semiconductor

시리즈

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

500A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 500A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 600V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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Diodes Incorporated

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다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

20mA @ 50V

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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시리즈

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다이오드 구성

2 Independent

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 500mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

10ns

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 15V

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