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DDB6U100N16RRBOSA1

DDB6U100N16RRBOSA1

참조 용

부품 번호 DDB6U100N16RRBOSA1
PNEDA 부품 번호 DDB6U100N16RRBOSA1
설명 MOD DIODE BRIDGE ECONO2-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,766
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DDB6U100N16RRBOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DDB6U100N16RRBOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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  • DDB6U100N16RRBOSA1 Distributor

DDB6U100N16RRBOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈EconoBRIDGE™
IGBT 유형-
구성Single Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전력-최대350W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.2V @ 20V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce3.3nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

25A

전력-최대

145W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 15A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

CM75DU-12F

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

IGBTMOD™

IGBT 유형

Trench

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

290W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

20nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGT200DA60T3AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

290A

전력-최대

750W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

12.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

FF150R12YT3BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전력-최대

625W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

10.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GT105NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

134A

전력-최대

463W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

75µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227

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