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DDTD122JU-7-F

DDTD122JU-7-F

참조 용

부품 번호 DDTD122JU-7-F
PNEDA 부품 번호 DDTD122JU-7-F
설명 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 2,790
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DDTD122JU-7-F 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DDTD122JU-7-F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일, 사전 바이어스
데이터 시트
DDTD122JU-7-F, DDTD122JU-7-F 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 109.71 KB)
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  • DDTD122JU-7-F Price
  • DDTD122JU-7-F Distributor

DDTD122JU-7-F 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Pre-Biased
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)220 Ohms
저항-이미 터베이스 (R2)4.7 kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce47 @ 50mA, 5V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA
주파수-전환200MHz
전력-최대200mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SOT-323

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40V

저항-베이스 (R1)

4.7 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA (ICBO)

주파수-전환

200MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

150MHz

전력-최대

100mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-723

공급자 장치 패키지

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Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

100mV @ 2.5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

225MHz

전력-최대

300mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SC-70

BCR 133T E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

주파수-전환

130MHz

전력-최대

250mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

공급자 장치 패키지

PG-SC-75

DTC023YMT2L

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN - Pre-Biased

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

2.2 kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10 kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

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주파수-전환

250MHz

전력-최대

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