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DEIC421

DEIC421

참조 용

부품 번호 DEIC421
PNEDA 부품 번호 DEIC421
설명 RF MOSFET DRIVER 20 AMP
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 2,610
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DEIC421 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DEIC421
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
DEIC421, DEIC421 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 297.26 KB)
PDFDEIC421 데이터 시트 표지
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DEIC421 사양

제조업체IXYS
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급8V ~ 30V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 3.5V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)20A, 20A
입력 유형Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)3ns, 3ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스7-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지DE275

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.2A, 1.2A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

35ns, 25ns

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IXDI630CI

IXYS Integrated Circuits Division

제조업체

IXYS Integrated Circuits Division

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

12.5V ~ 35V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

30A, 30A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

11ns, 11ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-5

공급자 장치 패키지

TO-220-5

NCP302055MNTWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge, Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

0.7V, 2.65V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

100mA, 100mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 6ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

31-PowerWFQFN

공급자 장치 패키지

31-PQFN (5x5)

ISL6612ACBZ-T

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MCP14A0155T-E/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

11.5ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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