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DF1000R17IE4BOSA1

DF1000R17IE4BOSA1

참조 용

부품 번호 DF1000R17IE4BOSA1
PNEDA 부품 번호 DF1000R17IE4BOSA1
설명 IGBT MODULE 1700V 1000A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,448
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DF1000R17IE4BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DF1000R17IE4BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
DF1000R17IE4BOSA1, DF1000R17IE4BOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 571.02 KB)
PDFDF1000R17IE4BOSA1 데이터 시트 표지
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DF1000R17IE4BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1700V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전력-최대6250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 1000A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce81nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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IGBT 유형

-

구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전력-최대

320W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

7PM-GA

공급자 장치 패키지

7PM-GA

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

215A

전력-최대

690W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

6mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

10.77nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E3

공급자 장치 패키지

E3

BSM200GA120DN2HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single Switch

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

300A

전력-최대

1550W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

CPV362M4U

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

7.2A

전력-최대

23W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 7.2A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

0.53nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

19-SIP (13 Leads), IMS-2

공급자 장치 패키지

IMS-2

FS225R12OE4PBOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

450A

전력-최대

20mW

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 225A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

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