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DF150R12RT4HOSA1

DF150R12RT4HOSA1

참조 용

부품 번호 DF150R12RT4HOSA1
PNEDA 부품 번호 DF150R12RT4HOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 1200V 150A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,290
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DF150R12RT4HOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DF150R12RT4HOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
DF150R12RT4HOSA1, DF150R12RT4HOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 643.18 KB)
PDFDF150R12RT4HOSA1 데이터 시트 표지
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DF150R12RT4HOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Single Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)150A
전력-최대790W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce9.3nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

700A

전력-최대

2300W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

750µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

49nF @ 25V

입력

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시리즈

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Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

1250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

2mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

26nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

420A

전력-최대

1380W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

21nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

APTGT400DA60D3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

500A

전력-최대

1250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

24nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

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전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.9nF @ 25V

입력

Standard

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