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DF160R12W2H3FB11BPSA1

DF160R12W2H3FB11BPSA1

참조 용

부품 번호 DF160R12W2H3FB11BPSA1
PNEDA 부품 번호 DF160R12W2H3FB11BPSA1
설명 MOD DIODE BRIDGE EASY2B-2-1
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,766
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DF160R12W2H3FB11BPSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DF160R12W2H3FB11BPSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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DF160R12W2H3FB11BPSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈EconoPACK™2
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전력-최대20mW
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce2.35nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전력-최대

227W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.02nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

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Through Hole

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SP2

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Microsemi Corporation

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

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Dual, Common Source

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

312W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

APTGT300TL65G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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전력-최대

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

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입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

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전류-수집기 차단 (최대)

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입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

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