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DG4052EEY-T1-GE3

DG4052EEY-T1-GE3

참조 용

부품 번호 DG4052EEY-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 DG4052EEY-T1-GE3
설명 IC MUX DUAL 4CHAN 16-SOIC
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 2,100
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DG4052EEY-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DG4052EEY-T1-GE3
분류반도체인터페이스 IC인터페이스-아날로그 스위치, 멀티플렉서, 디멀티플렉서
데이터 시트
DG4052EEY-T1-GE3, DG4052EEY-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 21, 크기: 411.13 KB)
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DG4052EEY-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
스위치 회로SP4T
멀티플렉서 / 디멀티플렉서 회로4:1
회로 수2
온 상태 저항 (최대)78Ohm
채널 대 채널 매칭 (ΔRon)910mOhm
전압-공급, 단일 (V +)3V ~ 16V
전압-공급, 이중 (V ±)±3V ~ 8V
스위치 시간 (Ton, Toff) (최대)75ns, 88ns
-3db 대역폭353MHz
충전 주입0.3pC
채널 커패시턴스 (CS (off), CD (off))2.2pF, 4.8pF
전류-누설 (IS (off)) (최대)1nA
교차-105dB @ 100kHz
작동 온도-40°C ~ 125°C (TA)
패키지 / 케이스16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOIC

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Analog Devices Inc.

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스위치 회로

SPDT

멀티플렉서 / 디멀티플렉서 회로

2:1

회로 수

2

온 상태 저항 (최대)

190Ohm

채널 대 채널 매칭 (ΔRon)

3.5Ohm

전압-공급, 단일 (V +)

12V

전압-공급, 이중 (V ±)

±15V

스위치 시간 (Ton, Toff) (최대)

150ns, 90ns

-3db 대역폭

1GHz

충전 주입

-1pC

채널 커패시턴스 (CS (off), CD (off))

1.6pF

전류-누설 (IS (off)) (최대)

100pA

교차

-85dB @ 1MHz

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

패키지 / 케이스

16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

16-TSSOP

MAX4616ESD+T

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

스위치 회로

SPST - NO/NC

멀티플렉서 / 디멀티플렉서 회로

1:1

회로 수

4

온 상태 저항 (최대)

10Ohm

채널 대 채널 매칭 (ΔRon)

200mOhm

전압-공급, 단일 (V +)

2V ~ 5.5V

전압-공급, 이중 (V ±)

-

스위치 시간 (Ton, Toff) (최대)

12ns, 10ns

-3db 대역폭

70MHz

충전 주입

6.5pC

채널 커패시턴스 (CS (off), CD (off))

5pF, 5pF

전류-누설 (IS (off)) (최대)

1nA

교차

-96dB @ 100kHz

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

MAX361CSE

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

스위치 회로

SPST - NC

멀티플렉서 / 디멀티플렉서 회로

1:1

회로 수

4

온 상태 저항 (최대)

85Ohm

채널 대 채널 매칭 (ΔRon)

2Ohm (Max)

전압-공급, 단일 (V +)

10V ~ 30V

전압-공급, 이중 (V ±)

±4.5V ~ 20V

스위치 시간 (Ton, Toff) (최대)

250ns, 120ns

-3db 대역폭

-

충전 주입

5pC

채널 커패시턴스 (CS (off), CD (off))

4pF, 4pF

전류-누설 (IS (off)) (최대)

500pA

교차

-100dB @ 1MHz

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

패키지 / 케이스

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

16-SOIC

NLAS6233MUTBG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

스위치 회로

DPDT

멀티플렉서 / 디멀티플렉서 회로

2:2

회로 수

2

온 상태 저항 (최대)

550mOhm

채널 대 채널 매칭 (ΔRon)

190mOhm

전압-공급, 단일 (V +)

2.7V ~ 4.5V

전압-공급, 이중 (V ±)

-

스위치 시간 (Ton, Toff) (최대)

17ns, 9ns

-3db 대역폭

36MHz

충전 주입

-

채널 커패시턴스 (CS (off), CD (off))

45pF

전류-누설 (IS (off)) (최대)

1µA

교차

-98dB @ 100kHz

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

패키지 / 케이스

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회로 수

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온 상태 저항 (최대)

26Ohm

채널 대 채널 매칭 (ΔRon)

10Ohm

전압-공급, 단일 (V +)

2.5V ~ 6V

전압-공급, 이중 (V ±)

±2.5V ~ 6V

스위치 시간 (Ton, Toff) (최대)

-

-3db 대역폭

80MHz

충전 주입

12pC

채널 커패시턴스 (CS (off), CD (off))

10pF

전류-누설 (IS (off)) (최대)

100nA

교차

-

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

패키지 / 케이스

16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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