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DGTD120T40S1PT

DGTD120T40S1PT

참조 용

부품 번호 DGTD120T40S1PT
PNEDA 부품 번호 DGTD120T40S1PT
설명 IGBT 1200V-X TO247 TUBE 0.45K
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DGTD120T40S1PT 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DGTD120T40S1PT
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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DGTD120T40S1PT 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
IGBT 유형Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)160A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 40A
전력-최대357W
에너지 전환1.96mJ (on), 540µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지341nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C65ns/308ns
테스트 조건600V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)100ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

144A

전류-수집기 펄스 (Icm)

320A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 80A

전력-최대

404W

에너지 전환

2.65mJ (on), 1.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

171nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

45ns/201ns

테스트 조건

400V, 80A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

109ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

130A

전류-수집기 펄스 (Icm)

250A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 36A

전력-최대

600W

에너지 전환

1.3mJ (on), 370µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

80nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/80ns

테스트 조건

400V, 36A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

120ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXYH)

APT75GN120B2G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

전력-최대

833W

에너지 전환

8045µJ (on), 7640µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

425nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/620ns

테스트 조건

800V, 75A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

-

FGA20S125P-SN00336

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1250V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

250W

에너지 전환

740µJ (on), 500µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

153nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/400ns

테스트 조건

600V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

IKQ50N120CT2XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

전력-최대

652W

에너지 전환

3.8mJ (on), 3.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

235nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

34ns/312ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3-46

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