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DGTD65T40S2PT

DGTD65T40S2PT

참조 용

부품 번호 DGTD65T40S2PT
PNEDA 부품 번호 DGTD65T40S2PT
설명 IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
제조업체 Diodes Incorporated
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재고 있음 5,148
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DGTD65T40S2PT 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DGTD65T40S2PT
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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DGTD65T40S2PT 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
IGBT 유형Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 40A
전력-최대230W
에너지 전환500µJ (on), 400µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지60nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C6ns/55ns
테스트 조건400V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)60ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247

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제조업체

Infineon Technologies

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

18A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 8A

전력-최대

70W

에너지 전환

70µJ (on), 20µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

22nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/116ns

테스트 조건

400V, 4A, 48Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

41ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

IRGS30B60KPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

78A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

전력-최대

370W

에너지 전환

350µJ (on), 825µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

102nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/185ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

SGP40N60UFTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 20A

전력-최대

160W

에너지 전환

160µJ (on), 200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

97nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/65ns

테스트 조건

300V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

STGF6M65DF2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

M

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

전력-최대

24.2W

에너지 전환

36µJ (on), 200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

21.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/90ns

테스트 조건

400V, 6A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

140ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FP

FGH75T65SQD-F155

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

375W

에너지 전환

760µJ (on), 180µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

128nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

43ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

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