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DKI04077

DKI04077

참조 용

부품 번호 DKI04077
PNEDA 부품 번호 DKI04077
설명 MOSFET N-CH 40V 47A TO-252
제조업체 Sanken
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재고 있음 3,042
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DKI04077 리소스

브랜드 Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DKI04077
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DKI04077, DKI04077 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 684.53 KB)
PDFDKI04077 데이터 시트 표지
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DKI04077 사양

제조업체Sanken
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)47A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs8.9mOhm @ 23.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs18.5nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1470pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)37W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-252
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13.5A (Ta), 56A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3142pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.2W (Ta), 37.5W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A (Ta), 90A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 102µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

143nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12000pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.2W (Ta), 78W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

29A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

200nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6450pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

350W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

TO-247-3

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1900pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.23W (Ta), 40W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

73nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1890pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

160W (Tc)

작동 온도

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