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DMC1029UFDB-13

DMC1029UFDB-13

참조 용

부품 번호 DMC1029UFDB-13
PNEDA 부품 번호 DMC1029UFDB-13
설명 MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 5,328
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMC1029UFDB-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMC1029UFDB-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMC1029UFDB-13, DMC1029UFDB-13 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 377.48 KB)
PDFDMC1029UFDB-7 데이터 시트 표지
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  • DMC1029UFDB-13 Distributor

DMC1029UFDB-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5.6A, 3.8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs29mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs19.6nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds914pF @ 6V
전력-최대1.4W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지U-DFN2020-6 (Type B)

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

246nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11200pF @ 25V

전력-최대

694W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

APTM20DUM05G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

317A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 158.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

448nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

27400pF @ 25V

전력-최대

1136W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

SLA5212

Sanken

제조업체

Sanken

시리즈

-

FET 유형

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

35V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

15-SIP Exposed Tab, Formed Leads

공급자 장치 패키지

15-ZIP

IPG20N06S2L65AATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 14µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

410pF @ 25V

전력-최대

43W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount, Wettable Flank

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PG-TDSON-8-10

TMC1620-TO

Trinamic Motion Control GmbH

제조업체

Trinamic Motion Control GmbH

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel, Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.6A, 4.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1560pF @ 25V

전력-최대

3.13W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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