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DMC2004LPK-7

DMC2004LPK-7

참조 용

부품 번호 DMC2004LPK-7
PNEDA 부품 번호 DMC2004LPK-7
설명 MOSFET N/P-CH 20V 6-DFN
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMC2004LPK-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMC2004LPK-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMC2004LPK-7, DMC2004LPK-7 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 347.63 KB)
PDFDMC2004LPK-7 데이터 시트 표지
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DMC2004LPK-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)750mA, 600mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds150pF @ 16V
전력-최대500mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지X1-DFN1612-6

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

450pF @ 30V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

PMCM650CUNEZ

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

556mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFBGA, WLCSP

공급자 장치 패키지

6-WLCSP (1.48x0.98)

FDZ1323NZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2055pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFBGA, WLCSP

공급자 장치 패키지

6-WLCSP (1.3x2.3)

FDC6322C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220mA, 460mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9.5pF @ 10V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-6

MMDF2N02ER2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

532pF @ 16V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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