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DMC2038LVTQ-7

DMC2038LVTQ-7

참조 용

부품 번호 DMC2038LVTQ-7
PNEDA 부품 번호 DMC2038LVTQ-7
설명 MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26
제조업체 Diodes Incorporated
단가
1 ---------- $8.2070
100 ---------- $7.8223
250 ---------- $7.4376
500 ---------- $7.0529
750 ---------- $6.7323
1,000 ---------- $6.4117
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DMC2038LVTQ-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMC2038LVTQ-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMC2038LVTQ-7, DMC2038LVTQ-7 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 631.99 KB)
PDFDMC2038LVTQ-7 데이터 시트 표지
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  • DMC2038LVTQ-7 Distributor

DMC2038LVTQ-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형N and P-Channel Complementary
FET 기능Logic Level Gate, 1.8V Drive
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.7A (Ta), 2.6A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds530pF @ 10V, 705pF @ 10V
전력-최대800mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지TSOT-26

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ON Semiconductor

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2 N-Channel (Dual)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1270pF @ 15V

전력-최대

1.6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

TPCP8401(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V, 12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA, 5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9.3pF @ 3V

전력-최대

1W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

PS-8 (2.9x2.4)

SI5902BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

220pF @ 15V

전력-최대

3.12W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

TSM6502CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Tc), 18A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1159pF @ 30V, 930pF @ 30V

전력-최대

40W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

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Alpha & Omega Semiconductor Inc.

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.1A (Ta), 7.1A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8.1A, 10V, 25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA, 2.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.2nC @ 10V, 30.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1250pF @ 15V, 1573pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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