DMC2038LVTQ-7
참조 용
| 부품 번호 | DMC2038LVTQ-7 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | DMC2038LVTQ-7 | ||||||||||||||||||
| 설명 | MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 2,642 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
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DMC2038LVTQ-7 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMC2038LVTQ-7 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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DMC2038LVTQ-7 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 유형 | N and P-Channel Complementary |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.7A (Ta), 2.6A (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 530pF @ 10V, 705pF @ 10V |
| 전력-최대 | 800mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 공급자 장치 패키지 | TSOT-26 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.1A, 5.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 32mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.3V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 850pF @ 10V 전력-최대 450mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8.1A (Ta), 7.1A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8.1A, 10V, 25mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA, 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 19.2nC @ 10V, 30.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1250pF @ 15V, 1573pF @ 15V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Advanced Linear Devices Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 500Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3pF @ 5V 전력-최대 500mW 작동 온도 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 24A (Tc), 18A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1159pF @ 30V, 930pF @ 30V 전력-최대 40W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-PDFN (5x6) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 26nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1270pF @ 15V 전력-최대 1.6W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
