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DMC25D1UVT-13

DMC25D1UVT-13

참조 용

부품 번호 DMC25D1UVT-13
PNEDA 부품 번호 DMC25D1UVT-13
설명 MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26
제조업체 Diodes Incorporated
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMC25D1UVT-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMC25D1UVT-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMC25D1UVT-13, DMC25D1UVT-13 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 644.27 KB)
PDFDMC25D1UVT-7 데이터 시트 표지
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  • DMC25D1UVT-13 Distributor

DMC25D1UVT-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)25V, 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)500mA, 3.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds27.6pF @ 10V
전력-최대1.3W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지TSOT-26

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

630pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

CSD86356Q5DT

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate, 5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V

전력-최대

12W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-VSON-CLIP (5x6)

APTM100A23STG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V (1kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

308nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8700pF @ 25V

전력-최대

694W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

NTMFD4C85NT1G

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15.4A, 29.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1960pF @ 15V

전력-최대

1.13W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

CSD88599Q5DC

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4840pF @ 30V

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12W

작동 온도

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