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DMC2710UVT-7

DMC2710UVT-7

참조 용

부품 번호 DMC2710UVT-7
PNEDA 부품 번호 DMC2710UVT-7
설명 MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMC2710UVT-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMC2710UVT-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMC2710UVT-7, DMC2710UVT-7 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 509.96 KB)
PDFDMC2710UVT-7 데이터 시트 표지
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DMC2710UVT-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈*
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

118A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

100nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

120nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5900pF @ 20V

전력-최대

75W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Ta), 36A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

590pF @ 25V

전력-최대

3W (Ta), 24W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

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2 N-Channel (Dual)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.6W

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150°C (TJ)

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Vishay Siliconix

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2110pF @ 10V

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