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DMC2990UDJQ-7

DMC2990UDJQ-7

참조 용

부품 번호 DMC2990UDJQ-7
PNEDA 부품 번호 DMC2990UDJQ-7
설명 MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMC2990UDJQ-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMC2990UDJQ-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMC2990UDJQ-7, DMC2990UDJQ-7 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 602.38 KB)
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  • DMC2990UDJQ-7 Distributor

DMC2990UDJQ-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형N and P-Channel Complementary
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)450mA (Ta), 310mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.5nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V
전력-최대350mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-963
공급자 장치 패키지SOT-963

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1240pF @ 10V

전력-최대

800mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-8

IPG20N04S412AATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 15µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1470pF @ 25V

전력-최대

41W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount, Wettable Flank

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PG-TDSON-8-10

PMDPB70XP,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

87mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.8nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

680pF @ 15V

전력-최대

490mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-HUSON-EP (2x2)

2N7002DW-7-F-79

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

360mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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