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DMC3016LNS-13

DMC3016LNS-13

참조 용

부품 번호 DMC3016LNS-13
PNEDA 부품 번호 DMC3016LNS-13
설명 MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
제조업체 Diodes Incorporated
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재고 있음 3,096
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMC3016LNS-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMC3016LNS-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMC3016LNS-13, DMC3016LNS-13 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 481.31 KB)
PDFDMC3016LNS-7 데이터 시트 표지
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  • DMC3016LNS-13 Distributor

DMC3016LNS-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형N and P-Channel Complementary
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9A (Ta), 6.8A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs9.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
전력-최대1.3W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지PowerDI3333-8

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

300pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-UDFN (1.6x1.6)

DMN5010VAK-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

280mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

FDS9933BZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

985pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

24-SMD

FDW2521C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A, 3.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1082pF @ 10V

전력-최대

600mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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