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DMC3021LSD-13

DMC3021LSD-13

참조 용

부품 번호 DMC3021LSD-13
PNEDA 부품 번호 DMC3021LSD-13
설명 MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 3,222
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMC3021LSD-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMC3021LSD-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMC3021LSD-13, DMC3021LSD-13 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 429.5 KB)
PDFDMC3021LSD-13 데이터 시트 표지
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DMC3021LSD-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8.5A, 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs21mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs16.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds767pF @ 10V
전력-최대2.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2242pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

P-DSO-8

APTC60VDAM24T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Super Junction

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

95A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

300nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14400pF @ 25V

전력-최대

462W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

STL15DN4F5

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1550pF @ 25V

전력-최대

60W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PowerFlat™ (5x6)

SI6943BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

800mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

BSO204PNTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 60µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1513pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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