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DMC3061SVT-7

DMC3061SVT-7

참조 용

부품 번호 DMC3061SVT-7
PNEDA 부품 번호 DMC3061SVT-7
설명 MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 5,832
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 5 - 3월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMC3061SVT-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMC3061SVT-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMC3061SVT-7, DMC3061SVT-7 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 553.68 KB)
PDFDMC3061SVT-7 데이터 시트 표지
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  • DMC3061SVT-7 Distributor

DMC3061SVT-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈*
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.63A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

550pF @ 10V

전력-최대

1.16W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Vishay Siliconix

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.14W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

STS10DN3LH5

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STMicroelectronics

시리즈

STripFET™ V

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.6nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

475pF @ 25V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

제조업체

IXYS

시리즈

GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

53A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8600pF @ 25V

전력-최대

180W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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드레인-소스 전압 (Vdss)

45V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.6nC, 18.2nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

550pF, 1700pF @ 10V

전력-최대

1.4W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

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