DMC3730UVT-13
참조 용
| 부품 번호 | DMC3730UVT-13 |
| PNEDA 부품 번호 | DMC3730UVT-13 |
| 설명 | MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,814 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DMC3730UVT-13 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMC3730UVT-13 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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DMC3730UVT-13 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 유형 | N and P-Channel Complementary |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 25V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 680mA (Ta), 460mA (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 50pF @ 10V, 63pF @ 10V |
| 전력-최대 | 700mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 공급자 장치 패키지 | TSOT-26 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 900pF @ 16V 전력-최대 1.42W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 42nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1932pF @ 15V 전력-최대 1.19W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 19A (Ta), 74A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.8mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1300pF @ 25V 전력-최대 3.1W (Ta), 50W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-WDFN (3.3x3.3) |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 56.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3315pF @ 6V 전력-최대 2.67W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지 X3-DSN3518-6 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 250mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.23nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 48pF @ 5V 전력-최대 350mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
