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DMC4029SSDQ-13

DMC4029SSDQ-13

참조 용

부품 번호 DMC4029SSDQ-13
PNEDA 부품 번호 DMC4029SSDQ-13
설명 MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO
제조업체 Diodes Incorporated
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예상 배송 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMC4029SSDQ-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMC4029SSDQ-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMC4029SSDQ-13, DMC4029SSDQ-13 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 406.5 KB)
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  • DMC4029SSDQ-13 Distributor

DMC4029SSDQ-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형N and P-Channel Complementary
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9A (Ta), 6.5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V
전력-최대1.8W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16.3mOhm @ 9.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1740pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

TSM8568CS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc), 13A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 8A, 10V, 24mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

646pF @ 15V, 1089pF @ 15V

전력-최대

6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

NDS9956A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

320pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SP8M6TB

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A, 3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.9nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

230pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

FDY2000PZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

350mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

100pF @ 10V

전력-최대

446mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

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MAX3485ESA+

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