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DMC4050SSD-13

DMC4050SSD-13

참조 용

부품 번호 DMC4050SSD-13
PNEDA 부품 번호 DMC4050SSD-13
설명 MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
제조업체 Diodes Incorporated
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재고 있음 55,398
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMC4050SSD-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMC4050SSD-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMC4050SSD-13, DMC4050SSD-13 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 418.6 KB)
PDFDMC4050SSD-13 데이터 시트 표지
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DMC4050SSD-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs45mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs37.56nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1790.8pF @ 20V
전력-최대1.8W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

736pF @ 15V

전력-최대

6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

5-XFLGA

공급자 장치 패키지

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NTUD3127CT5G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

160mA, 140mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9pF @ 15V

전력-최대

125mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-963

공급자 장치 패키지

SOT-963

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EPC

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 5.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

800pF @ 50V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

NTMD6P02R2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 6.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1700pF @ 16V

전력-최대

750mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

455mA (Ta), 328mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.41nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

31pF @ 15V, 28.5pF @ 15V

전력-최대

300mW

작동 온도

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