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DMC566040R

DMC566040R

참조 용

부품 번호 DMC566040R
PNEDA 부품 번호 DMC566040R
설명 TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6
제조업체 Panasonic Electronic Components
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재고 있음 8,226
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DMC566040R 리소스

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DMC566040R 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
트랜지스터 유형2 NPN - Pre-Biased (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대)100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
저항-베이스 (R1)10kOhms
저항-이미 터베이스 (R2)47kOhms
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic250mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대)500nA
주파수-전환-
전력-최대150mW
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지SMini6-F3-B

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

47kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

-

전력-최대

250mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

PBLS2023D,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

1 PNP Pre-Biased, 1 PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA, 1.8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V, 20V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V / 200 @ 1A, 2V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA, 100nA

주파수-전환

130MHz

전력-최대

760mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

공급자 장치 패키지

6-TSOP

PRMD13Z

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

4.7kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

47kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

100mV @ 250µA, 5mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA

주파수-전환

230MHz

전력-최대

480mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DFN1412-6

XP0621100L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

10kOhms

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

주파수-전환

150MHz

전력-최대

150mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SMINI6-G1

DDC114TU-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

저항-베이스 (R1)

10kOhms

저항-이미 터베이스 (R2)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

주파수-전환

250MHz

전력-최대

200mW

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

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