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DMG2301LK-13

DMG2301LK-13

참조 용

부품 번호 DMG2301LK-13
PNEDA 부품 번호 DMG2301LK-13
설명 MOSFET PCH 20V 2.4A SOT23
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMG2301LK-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMG2301LK-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMG2301LK-13, DMG2301LK-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 507.35 KB)
PDFDMG2301LK-13 데이터 시트 표지
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  • DMG2301LK-13 Distributor

DMG2301LK-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs160mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs3.4nC @ 10V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds156pF @ 6V
FET 기능-
전력 손실 (최대)840mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-23
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FET 유형

P-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

870pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Ta), 50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1871pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

6.3W (Ta), 83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFN-EP (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

FCPF7N60

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SuperFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

600mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

920pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

31W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220F

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

SISH410DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A (Ta), 35A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1600pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

101nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7280pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

260W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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공급자 장치 패키지

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