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DMG6968UTS-13

DMG6968UTS-13

참조 용

부품 번호 DMG6968UTS-13
PNEDA 부품 번호 DMG6968UTS-13
설명 MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
제조업체 Diodes Incorporated
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재고 있음 2,700
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMG6968UTS-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMG6968UTS-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMG6968UTS-13, DMG6968UTS-13 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 142.33 KB)
PDFDMG6968UTS-13 데이터 시트 표지
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DMG6968UTS-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds143pF @ 10V
전력-최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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시리즈

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Ta), 74A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 40µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1300pF @ 25V

전력-최대

3.1W (Ta), 50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

8-WDFN (3.3x3.3)

DMP210DUDJ-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.15V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

27.44pF @ 15V

전력-최대

330mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-963

공급자 장치 패키지

SOT-963

SI4910DY-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

855pF @ 20V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

NVMFD5C478NT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.8A (Ta), 27A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.3nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

325pF @ 25V

전력-최대

3.1W (Ta), 23W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

CAS120M12BM2

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Cree/Wolfspeed

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

193A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 120A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 6mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

378nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6300pF @ 1000V

전력-최대

925W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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