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DMHC4035LSD-13

DMHC4035LSD-13

참조 용

부품 번호 DMHC4035LSD-13
PNEDA 부품 번호 DMHC4035LSD-13
설명 MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 20,094
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 6 - 12월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMHC4035LSD-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMHC4035LSD-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMHC4035LSD-13, DMHC4035LSD-13 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 372.83 KB)
PDFDMHC4035LSD-13 데이터 시트 표지
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  • DMHC4035LSD-13 Distributor

DMHC4035LSD-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.5A, 3.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs45mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds574pF @ 20V
전력-최대1.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

68mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

290pF @ 15V

전력-최대

1.9W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Advanced Linear Devices Inc.

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FET 유형

2 P-Channel (Dual) Matched Pair

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1800Ohm @ 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SI4542DY-T1-GE3

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

DMN32D2LDF-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

400mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 100mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

39pF @ 3V

전력-최대

280mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 1.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

0.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

880pF @ 6V

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