DMN2005DLP4K-7
참조 용
부품 번호 | DMN2005DLP4K-7 |
PNEDA 부품 번호 | DMN2005DLP4K-7 |
설명 | MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN |
제조업체 | Diodes Incorporated |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 298,062 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 12월 6 - 12월 11 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DMN2005DLP4K-7 리소스
브랜드 | Diodes Incorporated |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | DMN2005DLP4K-7 |
분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
데이터 시트 |
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DMN2005DLP4K-7 사양
제조업체 | Diodes Incorporated |
시리즈 | - |
FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
FET 기능 | Standard |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 300mA |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 900mV @ 100µA |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
전력-최대 | 400mW |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 6-XFDFN Exposed Pad |
공급자 장치 패키지 | X2-DFN1310-6 (Type B) |
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Diodes Incorporated 제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Ta), 3.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 486pF @ 10V, 642pF @ 10V 전력-최대 700mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type B) |
Diodes Incorporated 제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 19.6nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 914pF @ 6V 전력-최대 1.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type B) |
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