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DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

참조 용

부품 번호 DMN2011UTS-13
PNEDA 부품 번호 DMN2011UTS-13
설명 MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN2011UTS-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN2011UTS-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMN2011UTS-13, DMN2011UTS-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 434.28 KB)
PDFDMN2011UTS-13 데이터 시트 표지
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  • DMN2011UTS-13 Distributor

DMN2011UTS-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)21A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs11mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs56nC @ 10V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2248pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.3W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-TSSOP
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.4A (Ta), 65A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1308pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.28W (Ta), 50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

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FDBL86361-F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

300A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

188nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

429W (Tj)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-HPSOF

패키지 / 케이스

8-PowerSFN

CSD16406Q3

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

19A (Ta), 60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.1nC @ 4.5V

Vgs (최대)

+16V, -12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 12.5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.7W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

IRF8327STR1PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Ta), 60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1430pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DIRECTFET™ SQ

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Vishay Siliconix

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

300V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

750mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

430pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

74W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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