DMN2014LHAB-7
참조 용
| 부품 번호 | DMN2014LHAB-7 |
| PNEDA 부품 번호 | DMN2014LHAB-7 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 28,272 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DMN2014LHAB-7 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMN2014LHAB-7 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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DMN2014LHAB-7 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 4A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1550pF @ 10V |
| 전력-최대 | 800mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-UFDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | U-DFN2030-6 (Type B) |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 17.5A, 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs 5mOhm @ 17.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 26nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1570pF @ 13V 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 Power56 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 680mA, 460mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.3nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50pF @ 10V 전력-최대 700mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 SuperSOT™-6 |
