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DMN2040UVT-13

DMN2040UVT-13

참조 용

부품 번호 DMN2040UVT-13
PNEDA 부품 번호 DMN2040UVT-13
설명 MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN2040UVT-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN2040UVT-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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DMN2040UVT-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7.5nC @ 4.5V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds667pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.2W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TSOT-26
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

700V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1370pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

156W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

144nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7753pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

890W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247

패키지 / 케이스

TO-247-3

FDMT80060DC

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Dual Cool™, PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

43A (Ta), 292A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

8V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.1mOhm @ 43A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

238nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20170pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.2W (Ta), 156W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-Dual Cool™88

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

IRL3803VPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

140A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 71A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

76nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3720pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

150A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

144nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8625pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

136W (Tc)

작동 온도

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