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DMN2991UFZ-7B

DMN2991UFZ-7B

참조 용

부품 번호 DMN2991UFZ-7B
PNEDA 부품 번호 DMN2991UFZ-7B
설명 MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0606-
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN2991UFZ-7B 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN2991UFZ-7B
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMN2991UFZ-7B, DMN2991UFZ-7B 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 493.22 KB)
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  • DMN2991UFZ-7B Price
  • DMN2991UFZ-7B Distributor

DMN2991UFZ-7B 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈*
FET 유형-
기술-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-
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공급자 장치 패키지-
패키지 / 케이스-

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

35A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1704pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

136W (Tc)

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

240mOhm @ 1.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

450pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

480mW (Ta), 6.25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

74nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3352pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

216W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

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패키지 / 케이스

TO-220-3

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제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

400V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

210nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

460W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

64nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9000pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.2W (Ta), 195W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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