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DMN3032LFDB-7

DMN3032LFDB-7

참조 용

부품 번호 DMN3032LFDB-7
PNEDA 부품 번호 DMN3032LFDB-7
설명 MOSFET 2N-CH 30V 6.2A UDFN2020-6
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
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예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN3032LFDB-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN3032LFDB-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMN3032LFDB-7, DMN3032LFDB-7 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 573.83 KB)
PDFDMN3032LFDB-13 데이터 시트 표지
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  • DMN3032LFDB-7 Distributor

DMN3032LFDB-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs30mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10.6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds500pF @ 15V
전력-최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지U-DFN2020-6 (Type B)

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

10mV @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

300V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

180Ohm @ 20mA, 7V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10.8pF @ 25V

전력-최대

-

작동 온도

-25°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

55nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1800pF @ 10V

전력-최대

55W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

DMN3035LWN-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

399pF @ 15V

전력-최대

770mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

85V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

112A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

152nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7600pF @ 25V

전력-최대

150W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

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