DMN3035LWN-7
참조 용
| 부품 번호 | DMN3035LWN-7 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | DMN3035LWN-7 | ||||||||||||||||||
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Diodes Incorporated | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 16,800 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 2월 23 - 2월 28 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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DMN3035LWN-7 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMN3035LWN-7 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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DMN3035LWN-7 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.5A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 4.8A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 9.9nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 399pF @ 15V |
| 전력-최대 | 770mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
| 공급자 장치 패키지 | V-DFN3020-8 |
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
