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DMN3042LFDF-7

DMN3042LFDF-7

참조 용

부품 번호 DMN3042LFDF-7
PNEDA 부품 번호 DMN3042LFDF-7
설명 MOSFET N-CH 30V 7A UDFN2020-6
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN3042LFDF-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN3042LFDF-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMN3042LFDF-7, DMN3042LFDF-7 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 408.35 KB)
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  • DMN3042LFDF-7 Distributor

DMN3042LFDF-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs28mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs13.3nC @ 10V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds570pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.1W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지U-DFN2020-6 (Type F)
패키지 / 케이스6-UDFN Exposed Pad

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

44mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.6nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

291pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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SPB100N08S2L-07

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 68A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

246nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7130pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3-2

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

APT40M42JN

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

400V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

86A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 43A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

760nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

690W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

ISOTOP®

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

AON6754

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

AlphaMOS

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

52A (Ta), 85A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

64nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2796pF @ 15V

FET 기능

Schottky Diode (Body)

전력 손실 (최대)

7.3W (Ta), 83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27.5mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

43.5nC @ 5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1805pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.08W (Ta), 2.97W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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