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DMN3055LFDB-13

DMN3055LFDB-13

참조 용

부품 번호 DMN3055LFDB-13
PNEDA 부품 번호 DMN3055LFDB-13
설명 MOSFET 2 N-CH 5A UDFN2020-6
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN3055LFDB-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN3055LFDB-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMN3055LFDB-13, DMN3055LFDB-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 343.81 KB)
PDFDMN3055LFDB-7 데이터 시트 표지
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  • DMN3055LFDB-13 Distributor

DMN3055LFDB-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs40mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs5.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds458pF @ 15V
전력-최대-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지U-DFN2020-6 (Type B)

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12mA, 3mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 3.6V

Vgs (th) (최대) @ Id

380mV @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2.5W

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21A (Ta), 87A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.6mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

62nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4150pF @ 20V

전력-최대

2.1W (Ta), 33W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

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Advanced Linear Devices Inc.

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4 N-Channel, Matched Pair

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 3.6V

Vgs (th) (최대) @ Id

380mV @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

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16-SOIC

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

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