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DMN601DMK-7

DMN601DMK-7

참조 용

부품 번호 DMN601DMK-7
PNEDA 부품 번호 DMN601DMK-7
설명 MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 653,022
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 1 - 3월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN601DMK-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN601DMK-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMN601DMK-7, DMN601DMK-7 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 507.35 KB)
PDFDMN601DMK-7 데이터 시트 표지
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DMN601DMK-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)510mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.4Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs304nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds50pF @ 25V
전력-최대700mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-23-6
공급자 장치 패키지SOT-26

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Rohm Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1190pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1810pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

SSM6N7002BFE(T5L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.1Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

17pF @ 25V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

ES6 (1.6x1.6)

제조업체

EPC

시리즈

eGaN®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 2A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 600µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.73nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

75pF @ 50V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

630mA (Ta), 590mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

480mOhm @ 590mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

300mW, 270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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