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DMN6070SSD-13

DMN6070SSD-13

참조 용

부품 번호 DMN6070SSD-13
PNEDA 부품 번호 DMN6070SSD-13
설명 MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO
제조업체 Diodes Incorporated
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예상 배송 4월 7 - 4월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN6070SSD-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN6070SSD-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMN6070SSD-13, DMN6070SSD-13 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 235.34 KB)
PDFDMN6070SSD-13 데이터 시트 표지
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  • DMN6070SSD-13 Distributor

DMN6070SSD-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs80mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12.3nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds588pF @ 30V
전력-최대1.2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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TrenchPLUS

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

65V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13.6A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40.2nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3052pF @ 25V

전력-최대

4.75W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

20-SO

SI7222DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

700pF @ 20V

전력-최대

17.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8 Dual

APTMC120AM08CD3AG

Microsemi

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 200A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 10mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

490nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9500pF @ 1000V

전력-최대

1100W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

D3

SIZ350DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18.5A (Ta), 30A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.75mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20.3nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

940pF @ 15V

전력-최대

3.7W (Ta), 16.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Advanced Linear Devices Inc.

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Advanced Linear Devices Inc.

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

20mV @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

500mW

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