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DMN62D1LFD-13

DMN62D1LFD-13

참조 용

부품 번호 DMN62D1LFD-13
PNEDA 부품 번호 DMN62D1LFD-13
설명 MOSFET N-CH 60V 0.4A DFN1212-3
제조업체 Diodes Incorporated
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DMN62D1LFD-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN62D1LFD-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMN62D1LFD-13, DMN62D1LFD-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 415.44 KB)
PDFDMN62D1LFD-13 데이터 시트 표지
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  • DMN62D1LFD-13 Distributor

DMN62D1LFD-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)400mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs2Ohm @ 100mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.55nC @ 4.5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds36pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)500mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지X1-DFN1212-3
패키지 / 케이스3-UDFN

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/556

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

610mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.1nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

800mW (Ta), 15W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

18-ULCC (9.14x7.49)

패키지 / 케이스

18-CLCC

NDD04N50Z-1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.7Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

308pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

61W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

FQB2N80TM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.3Ohm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

550pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.13W (Ta), 85W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

RDN120N25FU6

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

210mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

62nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1224pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

40W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220FN

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

BSM400C12P3G202

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

400A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

5.6V @ 106.8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

+22V, -4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

17000pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1570W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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