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DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

참조 용

부품 번호 DMN65D8LDW-7
PNEDA 부품 번호 DMN65D8LDW-7
설명 MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363
제조업체 Diodes Incorporated
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재고 있음 1,614,312
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMN65D8LDW-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMN65D8LDW-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMN65D8LDW-7, DMN65D8LDW-7 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 529.96 KB)
PDFDMN65D8LDW-7 데이터 시트 표지
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  • DMN65D8LDW-7 Distributor

DMN65D8LDW-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)180mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs6Ohm @ 115mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.87nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds22pF @ 25V
전력-최대300mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SOT-363

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시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

56A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75mOhm @ 28A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

364nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9015pF @ 25V

전력-최대

568W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

FW231A-TL-E

SANYO Semiconductor

제조업체

SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1530pF @ 10V

전력-최대

2.3W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

BSS84DW-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

130mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10Ohm @ 100mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

45pF @ 25V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

SI6928DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

SH8K39GZETB

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1240pF @ 30V

전력-최대

1.4W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

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