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DMNH3010LK3-13

DMNH3010LK3-13

참조 용

부품 번호 DMNH3010LK3-13
PNEDA 부품 번호 DMNH3010LK3-13
설명 MOSFET NCH 30V 15A TO252
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMNH3010LK3-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMNH3010LK3-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMNH3010LK3-13, DMNH3010LK3-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 530.54 KB)
PDFDMNH3010LK3-13 데이터 시트 표지
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  • DMNH3010LK3-13 Distributor

DMNH3010LK3-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)15A (Ta), 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs37nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2075pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-252-4L
패키지 / 케이스TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

480mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

104pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

33W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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MOSFET (Metal Oxide)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

0V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 160mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 26µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.9nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

44pF @ 25V

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전력 손실 (최대)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

846pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.5W (Ta), 27.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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