DMNH6021SPDQ-13
참조 용
| 부품 번호 | DMNH6021SPDQ-13 |
| PNEDA 부품 번호 | DMNH6021SPDQ-13 |
| 설명 | MOSFET 2NCH 60V 8.2A POWERDI |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,084 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 19 - 3월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
DMNH6021SPDQ-13 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
|
| Mfr. 부품 번호 | DMNH6021SPDQ-13 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.
우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.
신속한 대응
저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.
보장 된 품질
당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.
글로벌 액세스
전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.
Hot search vocabulary
- DMNH6021SPDQ-13 Datasheet
- where to find DMNH6021SPDQ-13
- Diodes Incorporated
- Diodes Incorporated DMNH6021SPDQ-13
- DMNH6021SPDQ-13 PDF Datasheet
- DMNH6021SPDQ-13 Stock
- DMNH6021SPDQ-13 Pinout
- Datasheet DMNH6021SPDQ-13
- DMNH6021SPDQ-13 Supplier
- Diodes Incorporated Distributor
- DMNH6021SPDQ-13 Price
- DMNH6021SPDQ-13 Distributor
DMNH6021SPDQ-13 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8.2A, 32A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 20.1nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1143pF @ 25V |
| 전력-최대 | 1.5W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
| 공급자 장치 패키지 | PowerDI5060-8 |
관심을 가질만한 제품
|
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 LITTLE FOOT® FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8.4A, 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 21mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 2.7W, 3.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 21A (Tc), 15A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V 전력-최대 900mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 PowerDI3333-8 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 39nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1700pF @ 15V 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 25A Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 35µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1321pF @ 13V 전력-최대 25W, 28W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 Dual PQFN (5x4) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolSiC™+ FET 유형 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 25A (Tj) Rds On (최대) @ Id, Vgs 45mOhm @ 25A, 15V (Typ) Vgs (th) (최대) @ Id 5.55V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 62nC @ 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1840pF @ 800V 전력-최대 20mW (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 AG-EASY1BM-2 |
