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DMNH6035SPDWQ-13

DMNH6035SPDWQ-13

참조 용

부품 번호 DMNH6035SPDWQ-13
PNEDA 부품 번호 DMNH6035SPDWQ-13
설명 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMNH6035SPDWQ-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMNH6035SPDWQ-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMNH6035SPDWQ-13, DMNH6035SPDWQ-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 518.24 KB)
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DMNH6035SPDWQ-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈*
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
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25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 35µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1321pF @ 13V

전력-최대

25W, 28W

작동 온도

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

720mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.76nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

110pF @ 10V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

710pF @ 15V

전력-최대

3.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

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-

패키지 / 케이스

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

39A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 2.7mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

259nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7000pF @ 25V

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