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DMP2035UVT-13

DMP2035UVT-13

참조 용

부품 번호 DMP2035UVT-13
PNEDA 부품 번호 DMP2035UVT-13
설명 MOSFET P-CH 20V TSOT26
제조업체 Diodes Incorporated
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DMP2035UVT-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMP2035UVT-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMP2035UVT-13, DMP2035UVT-13 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 513.67 KB)
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DMP2035UVT-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs35mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs23.1nC @ 4.5V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2400pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TSOT-26
패키지 / 케이스SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

632pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta)

작동 온도

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.8nC @ 5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

680pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

700mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

VS-6 (2.9x2.8)

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

CSD15571Q2

Texas Instruments

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

419pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-SON (2x2)

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

IRFR5505

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Infineon Technologies

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 10V

Vgs (최대)

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.9Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2200pF @ 25V

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-

전력 손실 (최대)

180W (Tc)

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