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DMP2045U-7

DMP2045U-7

참조 용

부품 번호 DMP2045U-7
PNEDA 부품 번호 DMP2045U-7
설명 MOSFET P-CHAN 24V SOT23
제조업체 Diodes Incorporated
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DMP2045U-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMP2045U-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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DMP2045U-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs45mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6.8nC @ 4.5V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds634pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)800mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-23
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

37A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

220mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

6.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

305nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

19000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

890W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

SOT-227B

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

NVTFS5C680NLTAG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.82A (Ta), 20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

327pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta), 20W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-WDFN (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

RCX051N25

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.36Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.23W (Ta), 30W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220FM

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

IPD80R1K0CEBTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

950mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

31nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

785pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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ON Semiconductor

제조업체

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FET 유형

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기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

530pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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