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DMP2060UFDB-7

DMP2060UFDB-7

참조 용

부품 번호 DMP2060UFDB-7
PNEDA 부품 번호 DMP2060UFDB-7
설명 MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMP2060UFDB-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMP2060UFDB-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMP2060UFDB-7, DMP2060UFDB-7 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 516.94 KB)
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DMP2060UFDB-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs18nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds881pF @ 10V
전력-최대1.4W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지U-DFN2020-6 (Type B)

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Ta), 49A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 30µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

793pF @ 25V

전력-최대

3.1W (Ta), 45W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

STS5DNF20V

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™ II

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

600mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

460pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

ECH8660-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

59mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

240pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-ECH

IRF7328PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

78nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2675pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SH8K41GZETB

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.6nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 10V

전력-최대

1.4W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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