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DMP2066LDM-7

DMP2066LDM-7

참조 용

부품 번호 DMP2066LDM-7
PNEDA 부품 번호 DMP2066LDM-7
설명 MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMP2066LDM-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMP2066LDM-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMP2066LDM-7, DMP2066LDM-7 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 464.57 KB)
PDFDMP2066LDM-7 데이터 시트 표지
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DMP2066LDM-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs40mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10.1nC @ 4.5V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds820pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.25W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-26
패키지 / 케이스SOT-23-6

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제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

533A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

0.48mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

187nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11800pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFNW (8.3x8.4)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

제조업체

IXYS

시리즈

TrenchMV™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

85V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

152A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

114nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

2SK4065-DL-1E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

220nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12200pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.65W (Ta), 90W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263-2

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

APT12F60K

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

620mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 500µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

225W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

59mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1800pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

100W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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