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DMP2066LSS-13

DMP2066LSS-13

참조 용

부품 번호 DMP2066LSS-13
PNEDA 부품 번호 DMP2066LSS-13
설명 MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC
제조업체 Diodes Incorporated
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재고 있음 2,394
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMP2066LSS-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMP2066LSS-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
DMP2066LSS-13, DMP2066LSS-13 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 415.94 KB)
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  • DMP2066LSS-13 Distributor

DMP2066LSS-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs40mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds820pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.5W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-SOP
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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제조업체

STMicroelectronics

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

45A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4800pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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제조업체

Vishay Siliconix

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.2nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

450pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.3W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-363, SC70

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

NTP6410ANG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

76A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 76A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

188W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

IPC90R340C3X1SA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

AUIRFS4115TRL

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

99A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.1mOhm @ 62A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5270pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

375W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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