DMP21D0UFB4-7B
참조 용
| 부품 번호 | DMP21D0UFB4-7B |
| PNEDA 부품 번호 | DMP21D0UFB4-7B |
| 설명 | MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 1,315,716 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 24 - 12월 29 (신속 배송 선택) |
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DMP21D0UFB4-7B 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMP21D0UFB4-7B |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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DMP21D0UFB4-7B 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 770mA (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 495mOhm @ 400mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 700mV @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.54nC @ 8V |
| Vgs (최대) | ±8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 80pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 430mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | X2-DFN1006-3 |
| 패키지 / 케이스 | 3-XFDFN |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 IXYS 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 0V Rds On (최대) @ Id, Vgs 6Ohm @ 1.5A, 0V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 37.5nC @ 5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1020pF @ 25V FET 기능 Depletion Mode 전력 손실 (최대) 125W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-263HV 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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