DMT2004UFG-7
참조 용
| 부품 번호 | DMT2004UFG-7 |
| PNEDA 부품 번호 | DMT2004UFG-7 |
| 설명 | MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333 |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,812 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 2 - 5월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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DMT2004UFG-7 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | DMT2004UFG-7 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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DMT2004UFG-7 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 24V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 70A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.45V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 53.7nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±12V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1683pF @ 15V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 2.3W (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | PowerDI3333-8 |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 115mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 200mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23 (TO-236AB) 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11.5A (Ta), 85A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 11.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 28nC @ 4.5V Vgs (최대) ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2614pF @ 12V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 880mW (Ta), 48.4W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN, 5 Leads |
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